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文献
J-GLOBAL ID：201202243755784254
整理番号：12A0868482
HVPE成長した(0001)GaN厚膜におけるピット型欠陥の成長と消滅とに関する断面CL研究
Cross sectional CL study of the growth and annihilation of pit type defects in HVPE grown (0001) thick GaN
LEE W.
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
LEE W.
(Graduated School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0005, JPN)
,
LEE H.j.
(PAN-Xal Co., Suwon 443-380, KOR)
,
PARK S.h.
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
WATANABE K.
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
KUMAGAI K.
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
YAO T.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8578, JPN)
,
CHANG J.h.
(Dep. of Nano Semiconductor Engineering, Korea Maritime Univ., Pusan 606-791, KOR)
,
SEKIGUCHI T.
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
SEKIGUCHI T.
(Graduated School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0005, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 351 号： 1 ページ： 83-87 発行年： 2012年07月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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