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文献
J-GLOBAL ID：201202243932447581
整理番号：12A1738385
六角形GaN/InGaN/GaN角錐上のInGaN量子ドット形成機構
InGaN quantum dot formation mechanism on hexagonal GaN/InGaN/GaN pyramids
LUNDSKOG A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
PALISAITIS J
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HSU C W
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ERIKSSON M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KARLSSON K F
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HULTMAN L
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
PERSSON P O A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
FORSBERG U
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HOLTZ P O
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 23 号： 30 ページ： 305708,1-6 発行年： 2012年08月03日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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