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文献
J-GLOBAL ID:201202244086132943   整理番号:12A0956082

繰返し堆積とアニーリング方式からの電気的に測った原子層堆積HfO2結晶性

Crystallinity of Electrically Scaled Atomic Layer Deposited HfO2 from a Cyclical Deposition and Annealing Scheme
著者 (8件):
CONSIGLIO S.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
CLARK R. D.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
BERSCH E.
(Univ. at Albany, New York, USA)
LAROSE J. D.
(Univ. at Albany, New York, USA)
WELLS I.
(Univ. at Albany, New York, USA)
TAPILY K.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
LEUSINK G. J.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
DIEBOLD A. C.
(Univ. at Albany, New York, USA)

資料名:
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

巻: 159  号:ページ: G80-G88  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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