文献
J-GLOBAL ID:201202244086132943
整理番号:12A0956082
繰返し堆積とアニーリング方式からの電気的に測った原子層堆積HfO2結晶性
Crystallinity of Electrically Scaled Atomic Layer Deposited HfO2 from a Cyclical Deposition and Annealing Scheme
著者 (8件):
CONSIGLIO S.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
,
CLARK R. D.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
,
BERSCH E.
(Univ. at Albany, New York, USA)
,
LAROSE J. D.
(Univ. at Albany, New York, USA)
,
WELLS I.
(Univ. at Albany, New York, USA)
,
TAPILY K.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
,
LEUSINK G. J.
(TEL Technol. Center, New York, USA)
,
DIEBOLD A. C.
(Univ. at Albany, New York, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
159
号:
6
ページ:
G80-G88
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)