文献
J-GLOBAL ID:201202244165059640
整理番号:12A1727378
窒化ホウ素ナノチューブに於ける電子特性の電界放出と歪工学
Field emission and strain engineering of electronic properties in boron nitride nanotubes
著者 (4件):
GHASSEMI Hessam M
(Michigan Technological Univ., MI, USA)
,
LEE Chee Hui
(Michigan Technological Univ., MI, USA)
,
YAP Yoke Khin
(Michigan Technological Univ., MI, USA)
,
YASSAR Reza S
(Michigan Technological Univ., MI, USA)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
23
号:
10
ページ:
105702,1-6
発行年:
2012年03月16日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)