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文献
J-GLOBAL ID：201202244267946853
整理番号：12A0363832
シリコン表面のCF3+エッチング:分子動力学的研究
CF3 + etching silicon surface: A molecular dynamics study
ZHAO C.
(Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
ZHAO C.
(Coll. of Sci., Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
LU X.
(Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
HE P.
(Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
ZHANG P.
(Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
SUN W.
(Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN)
,
ZHANG J.
(Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN)
,
CHEN F.
(Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
CHEN F.
(Coll. of Sci., Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN)
,
GOU F.
(FOM Inst. for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, NLD)
,
GOU F.
(Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 86 号： 7 ページ： 913-916 発行年： 2012年02月08日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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