文献
J-GLOBAL ID:201202244302556850
整理番号:12A1756813
サブ20nm金属酸化物半導体電界効果トランジスタの飽和ドレイン電流へのソース-ドレイン直列抵抗の高次効果
Higher-Order Effect of Source-Drain Series Resistance on Saturation Drain Current in Sub-20nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (3件):
YOON JongChul
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
HIROKI Akira
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
KOBAYASHI Kazutoshi
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
11,Issue 1
ページ:
111101.1-111101.5
発行年:
2012年11月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)