前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202244445402781
整理番号：12A0809860
HVPEで成長したGaN自立基板の転位低減のための改善に向けた硬度制御
Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates
FUJIKURA Hajime
(Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN)
,
OSHIMA Yuichi
(Advanced Electronic Materials Res. Dep., R&D Lab., Hitachi-Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN)
,
MEGRO Takeshi
(Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN)
,
SAITO Toshiya
(Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 350 号： 1 ページ： 38-43 発行年： 2012年07月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。