文献
J-GLOBAL ID:201202244614438103
整理番号:12A0870928
サブ閾値におけるMOSFET短チャネル効果解析モデルのレビューと批評
Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold
著者 (3件):
XIE Qian
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
XU Jun
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
TAUR Yuan
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
6
ページ:
1569-1579
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)