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文献
J-GLOBAL ID：201202244819159290
整理番号：12A1706180
種々のゲート誘電体を有する原子層堆積ZnO薄膜トランジスタ
Atomic-layer-deposited ZnO thin-film transistors with various gate dielectrics
YANG Jaehyun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
PARK Joong Keun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Sunkook
(Kyung Hee Univ., Yongin, KOR)
,
CHOI Woong
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sangyoon
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Hyoungsub
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209 号： 10 ページ： 2087-2090 発行年： 2012年10月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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