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文献
J-GLOBAL ID：201202245315606705
整理番号：12A0599951
6H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンのCO2レーザー誘起成長
CO2-Laser-Induced Growth of Epitaxial Graphene on 6H-SiC(0001)
YANNOPOULOS Spyros N.
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
,
SIOKOU Angeliki
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
,
NASIKAS Nektarios K.
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
,
DRACOPOULOS Vassilios
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
,
RAVANI Fotini
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
,
PAPATHEODOROU George N.
(Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Rio-Patras, GRC)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 22 号： 1 ページ： 113-120 発行年： 2012年01月11日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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