文献
J-GLOBAL ID:201202245437168059
整理番号:12A1251270
高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチング ナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論
High Response Piezoelectric and Piezoresistive Materials for Fast, Low Voltage Switching: Simulation and Theory of Transduction Physics at the Nanometer-Scale
著者 (4件):
NEWNS Dennis M.
(IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA)
,
ELMEGREEN Bruce G.
(IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA)
,
LIU Xiao-Hu
(IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA)
,
MARTYNA Glenn J.
(IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA)
資料名:
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻:
24
号:
27
ページ:
3672-3677
発行年:
2012年07月17日
JST資料番号:
W0001A
ISSN:
0935-9648
CODEN:
ADVMEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)