文献
J-GLOBAL ID:201202245657502480
整理番号:12A0583510
優先分域配向を有する高度に歪んだBiFeO3薄膜における強電場電荷注入により改善した分極保持
The improved polarization retention through high-field charge injection in highly strained BiFeO3 thin films with preferred domain orientations
著者 (4件):
LIU X. B.
(State Key Lab. of ASIC and System, Dep. of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
DING N. F.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN)
,
JIANG A. Q.
(State Key Lab. of ASIC and System, Dep. of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
YANG P. X.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
13
ページ:
132901-132901-4
発行年:
2012年03月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)