文献
J-GLOBAL ID:201202246019347890
整理番号:12A0706104
高破壊電圧と低オン抵抗のSchottkyソース/ドレーンInAlN/GaN金属-絶縁体-半導体 高電子移動度トランジスタ
Schottky Source/Drain InAlN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance
著者 (6件):
ZHOU Qi
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
CHEN Hongwei
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
ZHOU Chunhua
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
FENG Zhihong
(Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN)
,
CAI Shujun
(Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 2
ページ:
04DF02.1-04DF02.4
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)