文献
J-GLOBAL ID:201202246256587234
整理番号:12A0611034
酸素イオンの注入によって作製された酸化タンタルの抵抗スイッチング特性に対するセット電流の効果
Influence of the SET current on the resistive switching properties of tantalum oxide created by oxygen implantation
著者 (4件):
BISHOP S. M.
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA)
,
BAKHRU H.
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA)
,
CAPULONG J. O.
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA)
,
CADY N. C.
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
14
ページ:
142111-142111-4
発行年:
2012年04月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)