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文献
J-GLOBAL ID：201202246406691663
整理番号：12A1287258
CF4ガスにより誘起されるグラフェン電界効果トランジスタの特性ばらつき
Characteristic Variations of Graphene Field-Effect Transistors Induced by CF4 Gas
PARK Jaehoon
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
PARK Kun-Sik
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
JEONG Ye-Sul
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
BAEK Kyu-Ha
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
LEE Bong Kuk
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KIM Dong-Pyo
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
RYU Jin-Hwa
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
DO Lee-Mi
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
IMAMURA Hiroshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YASE Kiyoshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
CHOI Jong Sun
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 8,Issue 1 ページ： 081301.1-081301.4 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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