文献
J-GLOBAL ID:201202246543435283
整理番号:12A0588806
約1nm EOTのAl2O3/GeOx/Geゲートスタックを持つ高移動度Ge n-およびp-MOSFET
High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with~1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
著者 (5件):
ZHANG Rui
(Univ. Tokyo)
,
TAOKA Noriyuki
(Univ. Tokyo)
,
HUANG Po-Chin
(Univ. Tokyo)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo)
資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻:
59th
ページ:
ROMBUNNO.16P-A4-5
発行年:
2012年02月29日
JST資料番号:
Y0054B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)