文献
J-GLOBAL ID:201202246586838411
整理番号:12A0960579
SiNxゲート絶縁体を持っているエッチングされたGaAsナノワイヤー電界効果トランジスタの低周波ノイズの特性評価
Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator
著者 (5件):
MURAMATSU Toru
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MIURA Kensuke
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
SHIRATORI Yuta
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
YATABE Zenji
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KASAI Seiya
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
6,Issue 2
ページ:
06FE18.1-06FE18.5
発行年:
2012年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)