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文献
J-GLOBAL ID：201202246894734309
整理番号：12A0588908
次世代高性能CMOS実現に向けた高移動度III-V/GeチャネルMOSFETの集積化
横山正史
(東大)
,
KIM Sanghyeon
(東大)
,
ZHANG Rui
(東大)
,
田岡紀之
(東大)
,
卜部友二
(産業技術総合研)
,
前田辰郎
(産業技術総合研)
,
高木秀樹
(産業技術総合研)
,
安田哲二
(産業技術総合研)
,
山田永
(住友化学)
,
市川磨
(住友化学)
,
福原昇
(住友化学)
,
秦雅彦
(住友化学)
,
杉山正和
(東大)
,
中野義昭
(東大)
,
竹中充
(東大)
,
高木信一
(東大)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th ページ： ROMBUNNO.16A-A1-1 発行年： 2012年02月29日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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