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文献
J-GLOBAL ID：201202246912347997
整理番号：12A0960707
二重フィールドプレートを持つ最新AlGaN/GaNオンシリコン・ヘテロ接合電界効果トランジスタ
State-of-the-Art AlGaN/GaN-on-Si Heterojunction Field Effect Transistors with Dual Field Plates
LEE Jae-Gil
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Bong-Ryeol
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Ho-Jung
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Minseong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SEO Kwang-Seok
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
CHA Ho-Young
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 5 号： 6 ページ： 066502.1-066502.3 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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