文献
J-GLOBAL ID:201202247296196595
整理番号:12A1212336
空隙を形成するためSiイオン注入n-GaN上の異常成長によるInGaN発光ダイオード(LED)の出力電力向上
Improved Output Power of InGaN LEDs by Lateral Overgrowth on Si-Implanted n-GaN Surface to Form Air Gaps
著者 (9件):
TU Shang-Ju
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LEE Ming-Lun
(Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN)
,
YEH Yu-Hsiang
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HUANG Feng-Wen
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Po-Cheng
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LAI Wei-Chih
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Chung-Wei
(National Central Univ., Taoyuan, TWN)
,
CHI Gou Chung
(National Chia Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SHEU Jinn-Kong
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
48
号:
7-8
ページ:
1004-1009
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)