文献
J-GLOBAL ID:201202247579489130
整理番号:12A1116419
圧力下のウルツ鉱型窒化物半導体での表面準位に及ぼす電子-フォノン相互作用の効果
Effect of electron-phonon interaction on surface states in wurtzite nitride semiconductors under pressure
著者 (2件):
LI G.x.
(Coll. of Sci., Inner Mongolia Agricultural Univ., Hohhot 010018, CHN)
,
YAN Z.w.
(Coll. of Sci., Inner Mongolia Agricultural Univ., Hohhot 010018, CHN)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
52
号:
3
ページ:
514-522
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)