文献
J-GLOBAL ID:201202248010290367
整理番号:12A0385976
セレン化鉛及びシリコン半導体量子ドットの多重励起子発生における表面欠陥の役割
The role of surface defects in multi-exciton generation of lead selenide and silicon semiconductor quantum dots
著者 (3件):
JAEGER Heather M.
(Univ. of Rochester, Dep. of Chemistry, Rochester, New York 14627-0216, USA)
,
FISCHER Sean
(Univ. of Washington, Dep. of Chemistry, Seattle, Washington 98195-1700, USA)
,
PREZHDO Oleg V.
(Univ. of Rochester, Dep. of Chemistry, Rochester, New York 14627-0216, USA)
資料名:
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻:
136
号:
6
ページ:
064701
発行年:
2012年02月14日
JST資料番号:
C0275A
ISSN:
0021-9606
CODEN:
JCPSA6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)