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文献
J-GLOBAL ID：201202248394515832
整理番号：12A0395060
Siバッファ層を取り込んだCeO2利用のReRAMセルの抵抗性スイッチング挙動
Resistive switching behavior of a CeO2 based ReRAM cell incorporated with Si buffer layer
DOU C.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
KAKUSHIMA K.
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
AHMET P.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
TSUTSUI K.
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
NISHIYAMA A.
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
SUGII N.
(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
NATORI K.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
HATTORI T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
IWAI H.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 52 号： 4 ページ： 688-691 発行年： 2012年04月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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