文献
J-GLOBAL ID:201202249047601172
整理番号:12A0587919
Ge(001)基板上のホイスラー合金Co2MnSi薄膜とMgO障壁をもつ完全にエピタキシアルな磁性トンネル接合の製造
Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates
著者 (6件):
LI Gui-fang
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAIRA Tomoyuki
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
LIU Hong-xi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MATSUDA Ken-ichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
UEMURA Tetsuya
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
YAMAMOTO Masafumi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻:
59th
ページ:
ROMBUNNO.16A-B4-5
発行年:
2012年02月29日
JST資料番号:
Y0054B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)