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文献
J-GLOBAL ID:201202249047601172   整理番号:12A0587919

Ge(001)基板上のホイスラー合金Co2MnSi薄膜とMgO障壁をもつ完全にエピタキシアルな磁性トンネル接合の製造

Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co2MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates
著者 (6件):
LI Gui-fang
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
TAIRA Tomoyuki
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
LIU Hong-xi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
MATSUDA Ken-ichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
UEMURA Tetsuya
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
YAMAMOTO Masafumi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)

巻: 59th  ページ: ROMBUNNO.16A-B4-5  発行年: 2012年02月29日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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