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文献
J-GLOBAL ID：201202249182280572
整理番号：12A1037225
サブバンドギャップ光微分ボディファクタ法およびSOI MOSFETの界面状態の特性化
Subbandgap Optical Differential Body-Factor Technique and Characterization of Interface States in SOI MOSFETs
HONG Euiyoun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
YUN Daeyoun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
BAE Hagyoul
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Hyunjun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Won Hee
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
UHM Mihee
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
SEO Hyojoon
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jieun
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
JANG Jaeman
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dae Hwan
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Dong Myong
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 7 ページ： 922-924 発行年： 2012年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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