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文献
J-GLOBAL ID：201202249288962923
整理番号：12A1660505
ナノ多孔質GaNの一面にわたった再成長に基づくエピタキシャルGaNのリフトオフ
Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN
KANG Jin-ho
(Dep. of Physics, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR)
,
KEY LEE June
(School of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR)
,
RYU Sang-wan
(Dep. of Physics, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 361 ページ： 103-107 発行年： 2012年12月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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