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文献
J-GLOBAL ID：201202249590118325
整理番号：12A1057330
TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御
Interface Reaction Control of HfO2/Ge structure by an Insertion of TaOx layer
村上秀樹
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
三嶋健斗
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
大田晃生
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
橋本邦明
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
東清一郎
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
宮崎誠一
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 92(SDM2012 43-62) ページ： 33-36 発行年： 2012年06月14日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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