文献
J-GLOBAL ID:201202249666135054
整理番号:12A0744676
TaN厚さを変えることによるメタル/TaN/n-Ge接合のSchottky障壁高さの変調
Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness
著者 (5件):
WU Zheng
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
HUANG Wei
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LI Cheng
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LAI Hongkai
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
CHEN Songyan
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
5
ページ:
1328-1331
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)