文献
J-GLOBAL ID:201202250042630598
整理番号:12A1095577
その場アニールGe2Sb2Te5薄膜の結晶化プロセス
Crystallization process of in situ annealed Ge2Sb2Te5 films
著者 (3件):
ZHANG Lei
(Inst. of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN)
,
HAN Xiaodong
(Inst. of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN)
,
ZHANG Ze
(Dep. of Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310008, CHN)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
537
ページ:
71-75
発行年:
2012年10月05日
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)