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文献
J-GLOBAL ID：201202250070444163
整理番号：12A1306443
InAlN/AlN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの劣化及び位相雑音:ホットエレクトロン/フォノン効果の意味
Degradation and phase noise of InAlN/AlN/GaN heterojunction field effect transistors: Implications for hot electron/phonon effects
ZHU C. Y.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
WU M.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
KAYIS C.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
ZHANG F.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
LI X.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
FERREYRA R. A.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
MATULIONIS A.
(Fluctuation Res. Lab., Semiconductor Physics Inst., Vilnius 01108 Lithuania)
,
AVRUTIN V.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
OEZGUER Ue.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
,
MORKOC H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 10 ページ： 103502-103502-4 発行年： 2012年09月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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