文献
J-GLOBAL ID:201202250264473253
整理番号:12A0405444
Al2O3/SiOx/SiCゲート構造によるSiC-MOSFETにおける超高チャネル移動度
Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure
著者 (6件):
HINO Shiro
(Tokyo Inst. Technol., JPN)
,
HATAYAMA Tomohiro
(Tokyo Inst. Technol., JPN)
,
KATO Jun
(Tokyo Inst. Technol., JPN)
,
MIURA Naruhisa
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
,
OOMORI Tatsuo
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
,
TOKUMITSU Eisuke
(Tokyo Inst. Technol., JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
600/603
号:
Pt.2
ページ:
683-686
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)