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J-GLOBAL ID：201202250304420999 整理番号：12A1466655

炭素ドープのGe₂Sb₂Te₅から成る相変化物質:高密度相変化メモリ素子への応用が期待される材料

Carbon-doped Ge₂Sb₂Te₅ phase change material: A candidate for high-density phase change memory application

著者 (10件)：

ZHOU Xilin

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

WU Liangcai

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

SONG Zhitang

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

RAO Feng

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

ZHU Min

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

PENG Cheng

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

YAO Dongning

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

SONG Sannian

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

LIU Bo

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

,

FENG Songlin

(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 101 号： 14 ページ： 142104-142104-4 発行年： 2012年10月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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