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文献
J-GLOBAL ID：201202250483348260
整理番号：12A1763786
炭素を用いるGaAsナノワイヤのp型ドーピング
p-type doping of GaAs nanowires using carbon
SALEHZADEH O.
(Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
,
ZHANG X.
(Dep. of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
,
GATES B. D.
(Dep. of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
,
KAVANAGH K. L.
(Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
,
WATKINS S. P.
(Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 9 ページ： 094323-094323-5 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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