文献
J-GLOBAL ID:201202250512992777
整理番号:12A1752931
錯化剤としてアセトニトリルを用いた単一ステップ電着法によるCuInSe2薄膜成長
Growth of CuInSe2 thin films by a single-step electrodeposition technique using acetonitrile as complexing agent
著者 (2件):
GOSWAMI Y.C.
(ITM Univ., MP, IND)
,
RAJARAM P
(Jiwaji Univ., Gwalior, IND)
資料名:
Canadian Journal of Physics
(Canadian Journal of Physics)
巻:
90
号:
10
ページ:
981-986
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
B0229A
ISSN:
0008-4204
CODEN:
CJPHAD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
カナダ (CAN)
言語:
英語 (EN)