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文献
J-GLOBAL ID：201202250610969635
整理番号：12A0057611
酸素アニーリングプロセスを用いた高k/金属ゲートMOSFETにおける有効移動度改善のためのLa-ケイ酸ゲート誘電体における酸素欠陥の補償
Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process
KAWANAGO T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
SUZUKI T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
LEE Y.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
KAKUSHIMA K.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
AHMET P.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
TSUTSUI K.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
NISHIYAMA A.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
SUGII N.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
NATORI K.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
HATTORI T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
,
IWAI H.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 68 ページ： 68-72 発行年： 2012年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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