文献
J-GLOBAL ID:201202250922871420
整理番号:12A1405319
GaAs系に基づくハイブリッド量子ドット/量子井戸活性領域の光学的性質
Optical properties of hybrid quantum dot/quantum well active region based on GaAs system
著者 (6件):
THOMA Jiri
(Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland)
,
OCHALSKI Tomasz J.
(Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland)
,
HUGUES Maxime
(Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 4JD, GBR)
,
ZHANG Shiyong
(Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 4JD, GBR)
,
HEGARTY Stephen P.
(Tyndall National Inst., UCC, Lee Maltings, Cork, Ireland)
,
HUYET Guillaume
(Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
6
ページ:
063103-063103-4
発行年:
2012年09月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)