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文献
J-GLOBAL ID：201202250937548412
整理番号：12A0495348
横方向拡散型金属-酸化物-半導体トランジスタの高周波特性のホットキャリアストレス効果の調査
Investigation of Hot-Carrier Stress Effect on High-Frequency Performance of Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
CHEN Kun-Ming
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
MOU Zong-Wen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
KUO Hao-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Chia-Sung
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Bo-Yuan
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
LIU Wen-De
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Ming-Yi
(United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN)
,
YANG Yu-Chi
(United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN)
,
WANG Kai-Li
(United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN)
,
HUANG Guo-Wei
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Guo-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 2,Issue 2 ページ： 02BC012.1-02BC012.5 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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