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文献
J-GLOBAL ID：201202250981897440
整理番号：12A1074187
ゲート酸化膜厚非対象に適応した完全空乏化共通二重ゲートMOSFETに対するコンパクトモデルにおけるボディドーピングの包含
Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetry
JANDHYALA S.
(Indian Inst. Sci. Bangalore, Bangalore, IND)
,
MAHAPATRA S.
(Indian Inst. Sci. Bangalore, Bangalore, IND)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 48 号： 13 ページ： 794-795 発行年： 2012年06月21日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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