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文献
J-GLOBAL ID：201202251005675553
整理番号：12A0666926
GaN系デバイスの機械的転写のための剥離層となる層状窒化ホウ素
Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices
KOBAYASHI Yasuyuki
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
KUMAKURA Kazuhide
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
AKASAKA Tetsuya
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMOTO Toshiki
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Nature (London)
(Nature (London))
巻： 484 号： 7393 ページ： 223-227 発行年： 2012年04月12日
JST資料番号： D0193B ISSN： 0028-0836 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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