文献
J-GLOBAL ID:201202251013074488
整理番号:12A1334925
Fe/GaAsマイクロデバイスにおける電気的に変調される逆スピンHall効果の検出
Detection of Electrically Modulated Inverse Spin Hall Effect in an Fe/GaAs Microdevice
著者 (11件):
OLEJNIK K.
(Hitachi Cambridge Lab., Cambridge, GBR)
,
OLEJNIK K.
(Inst. Physics, ASCR, Praha, CZE)
,
WUNDERLICH J.
(Inst. Physics, ASCR, Praha, CZE)
,
WUNDERLICH J.
(Hitachi Cambridge Lab., Cambridge, GBR)
,
IRVINE A.C.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
CAMPION R.P.
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
AMIN V.P.
(Texas A&M Univ., Texas, USA)
,
SINOVA Jairo
(Texas A&M Univ., Texas, USA)
,
SINOVA Jairo
(Inst. Physics, ASCR, Praha, CZE)
,
JUNGWIRTH T.
(Inst. Physics, ASCR, Praha, CZE)
,
JUNGWIRTH T.
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
109
号:
7
ページ:
076601.1-076601.5
発行年:
2012年08月17日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)