文献
J-GLOBAL ID:201202251136482041
整理番号:12A0706072
シリコンナノワイヤ金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの雑音特性におけるプレーナ型トランジスタに対する利点
Advantages of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors over Planar Ones in Noise Properties
著者 (13件):
FENG Wei
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
FENG Wei
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
HETTIARACHCHI Ranga
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HETTIARACHCHI Ranga
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SATO Soshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAKUSHIMA Kuniyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
NIWA Masaaki
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
NIWA Masaaki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
IWAI Hiroshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
YAMADA Keisaku
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMADA Keisaku
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OHMORI Kenji
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OHMORI Kenji
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 2
ページ:
04DC06.1-04DC06.5
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)