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文献
J-GLOBAL ID：201202251153101256
整理番号：12A1485822
8MB/s高性能TLC NANDフラッシュメモリのためのSLC-TLCマイグレーションを用いた新しい3ビットプログラミングアルゴリズム
A New 3-bit Programming Algorithm using SLC-to-TLC Migration for 8MB/s High Performance TLC NAND Flash Memory
SHIN Seung-Hwan
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SHIM Dong-Kyo
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JEONG Jae-Yong
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KWON Oh-Suk
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
YOON Sang-Yong
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHOI Myung-Hoon
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Tae-Young
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
PARK Hyun-Wook
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
YOON Hyun-Jun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SONG Young-Sun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHOI Yoon-Hee
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SHIM Sang-Won
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
AHN Yang-Lo
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
PARK Ki-Tae
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
HAN Jin-Man
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KYUNG Kye-Hyun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JUN Young-Hyun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2012 ページ： 132-133 発行年： 2012年
JST資料番号： W0767A ISSN： 2158-5601 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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