文献
J-GLOBAL ID:201202251578773606
整理番号:12A0722504
その場原子層堆積によるIn0.53Ga0.47As上の高品質HfO2の実現
Realization of high-quality HfO2 on In0.53Ga0.47As by in-situ atomic-layer-deposition
著者 (7件):
LIN T. D.
(Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
,
CHANG Y. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
LIN C. A.
(Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
HUANG M. L.
(Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
LEE W. C.
(Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
KWO J.
(Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
HONG M.
(Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
17
ページ:
172110-172110-4
発行年:
2012年04月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)