文献
J-GLOBAL ID:201202251641206113
整理番号:12A1174554
40GHzにおける高出力GaN-on-Siトランジスタの初めての実証
First Demonstration of High-Power GaN-on-Silicon Transistors at 40GHz
著者 (6件):
MEDJDOUB F.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
,
ZEGAOUI M.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
,
GRIMBERT B.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
,
DUCATTEAU D.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
,
ROLLAND N.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
,
ROLLAND P.A.
(Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
8
ページ:
1168-1170
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)