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J-GLOBAL ID：201202251650786815 整理番号：12A1187670

2峰ドット高さ分布を有するInGaAsで被覆した広帯域のInAs/GaAs量子ドット赤外検出器

Broadband InGaAs-capped InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with Bi-modal dot height distributions

著者 (2件)：

LIN Wei-hsun

(Inst. of Electronics Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan)

LIN Shih-yen

(Res. Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 112 号： 3 ページ： 034508-034508-4 発行年： 2012年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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