文献
J-GLOBAL ID:201202252032625530
整理番号:12A0924300
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
著者 (5件):
吉原一輝
(名古屋工大 大学院)
,
加藤正史
(名古屋工大 大学院)
,
市村正也
(名古屋工大 大学院)
,
畑山智亮
(奈良先端科学技術大学院大)
,
大島武
(日本原子力開発機構)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
34(SDM2012 19-42)
ページ:
67-72
発行年:
2012年05月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)