文献
J-GLOBAL ID:201202252291871930
整理番号:12A0960584
Pt電極間にはさみ込まれた超薄層Si酸化物誘電体の化学結合特性と抵抗変化挙動の評価
Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes
著者 (6件):
OHTA Akio
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
GOTO Yuta
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NISHIGAKI Shingo
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI Hideki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HIGASHI Seiichiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
6,Issue 2
ページ:
06FF02.1-06FF02.6
発行年:
2012年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)