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文献
J-GLOBAL ID：201202252372671803
整理番号：12A1763135
電子注入層を持つ高効率InGaN/GaN発光ダイオード
High-efficiency InGaN/GaN light-emitting diodes with electron injector
PARK Seoung-Hwan
(Catholic Univ. Daegu, Kyeongbuk, KOR)
,
MOON Yong-Tae
(LG Innotek, Gyeonggi, KOR)
,
HAN Dae-Seob
(LG Innotek, Gyeonggi, KOR)
,
PARK Joong Seo
(LG Innotek, Gyeonggi, KOR)
,
OH Myeong-Seok
(LG Innotek, Gyeonggi, KOR)
,
AHN Doyeol
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 27 号： 11 ページ： 115003,1-7 発行年： 2012年11月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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