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文献
J-GLOBAL ID：201202252375388053
整理番号：12A1053349
素子性能及び信頼性増倍のための超薄ポリ(4-ビニルフェノール)層によるグラフェン上への高k誘電体のシーディング原子層堆積
Seeding atomic layer deposition of high-k dielectric on graphene with ultrathin poly(4-vinylphenol) layer for enhanced device performance and reliability
CHEOL SHIN Woo
(Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...)
,
YONG KIM Taek
(Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...)
,
SUL Onejae
(Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...)
,
JIN CHO Byung
(Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 3 ページ： 033507-033507-4 発行年： 2012年07月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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