文献
J-GLOBAL ID:201202252408133307
整理番号:12A1074186
MBE成長半導体マルチレイヤーにおける大いに再現できるトンネル電流
Highly reproducible tunnel currents in MBE-grown semiconductor multilayers
著者 (5件):
SHAO C.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
DASMAHAPATRA P.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
SEXTON J.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
MISSOUS M.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
KELLY M. J.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
48
号:
13
ページ:
792-794
発行年:
2012年06月21日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)